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本文介绍X-CTR100控制器 板载EEPROM存储芯片AT24C02的使用，EEPROM常用于参数存储，系统掉电后也可以保存数据。
对比FLASH容量小，但是具有更高的擦写寿命。
原理
AT24C02是一个2K位串行CMOS E2PROM， 内部含有256个8位字节，CATALYST公司的先进CMOS技术实质上减少了器件的功耗。AT24C02有一个16字节页写缓冲器。该器件通过IIC总线接口进行操作，有一个专门的写保护功能。
管脚名称 | 功能 |
A0、A1、A2 | 器件地址选择 |
SDA | 串行数据、地址 |
SCL | 串行时钟 |
WP | 写保护 |
VCC | +1.8V~6.0V工作电压 |
VSS | 地 |
例程
本例程实现单字节读写功能和连续字节读写功能。
硬件说明
硬件资源：
- 串口UART1
- 板载资源AT24C02
硬件连接：
X-CTR100设计有EEPROM芯片AT24C02，与MPU6050公用IIC2接口，地址引脚连接到GND。
软件生态
X-SOFT软件生态，X-API文件如下。
ax_at24c02.c——X-CTR100 板载 AT24C02 EEPROM 存储源文件
ax_at24c02.h——X-CTR100 板载 AT24C02 EEPROM 存储头文件
操作函数如下：
void AX_AT24C02_Init(void); //AT24C02初始化 void AX_AT24C02_Write(uint8_t *pbuf, uint8_t addr, uint8_t num); //AT24C02指定地址写入指定长度的数据 void AX_AT24C02_Read(uint8_t *pbuf, uint8_t addr, uint8_t num); //AT24C02指定地址读出指定长度的数据 void AX_AT24C02_WriteOneByte(uint8_t addr, uint8_t data); //AT24C02指定地址写入一个字节 uint8_t AX_AT24C02_ReadOneByte(uint8_t addr); //AT24C02指定地址读取一个字节 |
软件说明
本例程首先AT24C02初始化。然后进行单字节读写测试，分别向地址10、11、12写入数据，并读出数据显示，对比写入和读出的数据是否相同。然后进行多字节连续读写测试，向地址0写入字符串，并读出显示，对比写入和读出内容是否相同。主程序代码如下。
int main(void) { uint8_t tmp[3]; uint8_t str[] = { "X-CTR100 EEPROM TEST" }; uint8_t str1[sizeof(str)];
/* X-CTR100初始化 */ AX_Init(115200); printf("***X-CTR100 EEPROM AT24C02读写例程***\r\n\r\n");
//模块初始化及配置 AX_AT24C02_Init();
//X-API测试：单字节读写测试 printf("*单字节读写测试\r\n");
AX_AT24C02_WriteOneByte(10, 10); //地址10 写入10 AX_AT24C02_WriteOneByte(11, 20); //地址11 写入20 AX_AT24C02_WriteOneByte(12, 30); //地址12 写入30 tmp[0] = AX_AT24C02_ReadOneByte(10); //从地址10读出数据 tmp[1] = AX_AT24C02_ReadOneByte(11); //从地址11读出数据 tmp[2] = AX_AT24C02_ReadOneByte(12); //从地址12读出数据
printf("*地址10 11 12 写入数据：10 20 30\r\n"); printf("*地址10 11 12 读出数据：%d %d %d\r\n\r\n", tmp[0], tmp[1], tmp[2]);
//X-API测试：连续读写测试 printf("*连续读写测试\r\n"); AX_AT24C02_Write(str, 0, sizeof(str)); //地址0 写入 str AX_AT24C02_Read(str1, 0, sizeof(str)); //地址0 读出数据到 str1
printf("*地址0 写入数据：%s\r\n", str); printf("*地址0 读出数据：%s\r\n", str1);
while (1) { AX_Delayms(1000); AX_LEDG_Toggle(); } } |
实现效果
上电复位后，运行效果如下图所示。
